URu$_2$Si$_2$ 表面终止与 5$f$ 电子特征的 ARPES/STM 研究

W. Zhang; H. Y. Lu; D. H. Xie; W. Feng; S. Y. Tan; Y. Liu; X. G. Zhu; Y. Zhang; Q. Q. Hao; Y. B. Huang; X. C. Lai; Q. Y. Chen

doi:10.1103/PhysRevB.98.115121

URu$_2$Si$_2$ 表面终止与 5$f$ 电子特征的 ARPES/STM 研究

强关联电子 2018-09-20 v1 材料科学超导电性

作者: W. Zhang , H. Y. Lu , D. H. Xie , W. Feng , S. Y. Tan , Y. Liu , X. G. Zhu , Y. Zhang , Q. Q. Hao , Y. B. Huang , X. C. Lai , Q. Y. Chen

在 arXiv 上查看 ↗ PDF ↗ DOI ↗

摘要

URu $_2$ Si $_2$ 中的隐序已持续成谜近四十年。厘清隐序本质的重要性激发了广泛研究。本文通过角分辨光电子能谱，结合扫描隧道谱与 DMFT 计算，对 URu $_2$ Si $_2$ 中不同表面终止进行了详细表征，这可能揭示该谜题的新线索。U 终止表面在 $\bar{X}$ 点附近以电子型能带为特征，而 Si 终止表面则呈现空穴型能带。我们还研究了 $\bar{X}$ 点附近电子结构从 11 K 到 70 K 的温度演化，未观察到在相干温度（55 K）附近电子结构的突变。 $f$ 谱权重随温度升高逐渐减弱，但在该温度之上仍可见部分 $f$ 谱权重。我们的结果表明，URu $_2$ Si $_2$ 中的表面终止是未来工作中需加以考量的重要问题。

关键词

URu2Si2 表面终止角分辨光电子能谱扫描隧道谱 5f 电子隐序 DMFT

引用

@article{arxiv.1809.06998,
  title  = {ARPES/STM study of the surface terminations and 5$f$-electron character in URu$_2$Si$_2$},
  author = {W. Zhang and H. Y. Lu and D. H. Xie and W. Feng and S. Y. Tan and Y. Liu and X. G. Zhu and Y. Zhang and Q. Q. Hao and Y. B. Huang and X. C. Lai and Q. Y. Chen},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1809.06998},
  year   = {2018}
}

备注

7 pages, 5 figures

URu$_2$Si$_2$ 表面终止与 5$f$ 电子特征的 ARPES/STM 研究

摘要

关键词

引用

备注

相关论文