基于HgTe多量子阱二极管的3微米室温激射中的热声子效应与俄歇复合抑制
光学
2024-06-19 v1
摘要
我们提出了一种基于多个HgTe量子阱的电泵浦激光二极管，其能带结构经过设计以抑制俄歇复合。我们建立了一个考虑热声子的模型，用于计算电子和空穴的非平衡温度。利用一个综合考虑载流子漂移和扩散、俄歇复合以及热声子效应的模型，我们预测在2.2 nm HgTe/CdHgTe量子阱异质结构中，可在室温下实现波长约3微米的激射。对于100纳秒持续时间的脉冲，其脉冲输出功率可达600 mW。
引用
@article{arxiv.2204.13110,
title = {Hot phonon effects and suppressed Auger recombination on 3 $\mu$m room temperature lasing in HgTe-based multiple quantum well diodes},
author = {Alexander Afonenko and Dmitrii Ushakov and Aleksandr Dubinov and Vladimir Aleshkin and Sergey Morozov and Vladimir Gavrilenko},
journal= {arXiv preprint arXiv:2204.13110},
year = {2024}
}
备注
26 pages, 7 figures, preprint