耦合超薄CdTe/ZnTe量子阱结构中的热激子弛豫
介观与纳米尺度物理
2020-12-30 v1
摘要
研究了一系列在ZnTe基质中含有两层名义厚度分别为2和4单原子层(ML)的CdTe层的CdTe/ZnTe非对称双量子阱(QW)结构的光致发光(PL)与PL激发(PLE)光谱。这些样品的区别在于CdTe量子阱之间ZnTe间隔层厚度分别为45、65和75 ML。已发现，在势垒以上激发时，浅量子阱在足够弱的激发强度下的PL由热激子的复合所决定。结果表明，在这些条件下，当PL由不同波长的激光激发时，浅阱与深阱的PL强度之比随热激子初始动能的增加而呈指数下降。研究发现，伴随LO声子发射的热激子能量弛豫决定了浅量子阱在激子动能高于ZnTe带隙多达20余个LO声子范围内的PLE光谱形状。我们已表明，所得结果可由量子阱间电荷与能量转移模型很好地描述。
引用
@article{arxiv.2011.07644,
title = {Hot exciton relaxation in coupled ultra-thin CdTe/ZnTe quantum well structures},
author = {V. Agekyan and G. Budkin and M. Chukeev and N. Filosofov and G. Karczewski and A. Serov and A. Reznitsky},
journal= {arXiv preprint arXiv:2011.07644},
year = {2020}
}