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囚禁离子量子处理器上关联电子的全息模拟

强关联电子 2022-09-14 v3 量子物理

摘要

我们发展全息量子模拟技术,以量子矩阵乘积态(qMPS)形式制备关联电子基态,所用量子比特数远少于所表示的轨道数。我们的方法始于一种全息技术,用以制备电子平均场基态的压缩近似,即费米子高斯矩阵乘积态(GMPS),与现有技术相比在量子比特资源(及特定情形下的门资源)上实现多项式级缩减。随后通过增强 GMPS 线路以变分技术引入关联,我们称之为 GMPS+X。我们在 Quantinuum 的 System Model H1 囚禁离子量子处理器上对关联金属与 Mott 绝缘态的 1dd 模型演示了该方法。聚焦于作为基准的 1d1d Fermi-Hubbard 链,我们表明 GMPS+X 方法能以远少于与问题无关的变分线路的参数,忠实捕捉关联电子态(包括 Mott 绝缘体与关联 Luttinger 液体金属)的物理。

关键词

引用

@article{arxiv.2112.10810,
  title  = {Holographic simulation of correlated electrons on a trapped ion quantum processor},
  author = {Daoheng Niu and Reza Haghshenas and Yuxuan Zhang and Michael Foss-Feig and Garnet Kin-Lic Chan and Andrew C. Potter},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2112.10810},
  year   = {2022}
}

备注

16 pages, 10 figures