掺杂二维 Hubbard 模型中的空穴口袋

使用量子蒙特卡罗技术，研究了二维 Hubbard 模型的电子动量分布 ${\rm n({\bf k})}$ 在不同耦合强度 ${\rm U/t}$、电子密度 ${\rm \langle n \rangle}$ 和温度下的行为。对 $8\times 8$ 团簇数据的详细分析表明，当系统偏离半填充进行掺杂时，在动量 ${\rm {\bf k}=(\pm {\pi\over{2}},\pm {\pi\over{2}})}$ 处会出现与空穴口袋一致的特征。我们的结果与 Aebi 等人 (Phys. Rev. Lett. {\bf 72}, 2757 (1994)) 讨论的铜氧化物近期实验数据一致。在所研究的耦合范围内，口袋的深度在 ${\rm \langle n \rangle \approx 0.9}$ 时最大，并且随着温度降低而增加。先前该模型的数值研究中明显没有空穴口袋的现象得到了解释。