应变In$_x$Ga$_{1-x}$As二维系统中的空穴-空穴相互作用
无序系统与神经网络
2008-12-02 v1
摘要
研究了应变GaAs/InGaAs/GaAs量子阱结构中二维空穴气体电导率的相互作用修正。结果表明，为可靠确定费米液体常数，必须考虑塞曼劈裂、自旋弛豫和弹道贡献。适当考虑这些效应，使我们能够描述电导率的温度和磁场依赖性，并求得的值。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0503567,
title = {Hole-hole interaction in a strained In$_x$Ga$_{1-x}$As two dimensional system},
author = {G. M. Minkov and A. A. Sherstobitov and A. V. Germanenko and O. E. Rut and V. A. Larionova and B. N. Zvonkov},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0503567},
year = {2008}
}
备注
7 pages, 6 figures