单个量子点与电离受主之间的空穴俘获竞争
介观与纳米尺度物理
2018-10-03 v1
摘要
鉴于自旋-光子接口,我们研究了 In(Ga)As 量子点与紧邻电离杂质之间的空穴俘获竞争。4.2 K 下的 Kerr 旋转噪声谱显示,In(Ga)As 量子点的空穴俘获概率比电离杂质的空穴俘获概率约高一个数量级,并表明由于库仑相互作用,量子点与杂质同时被一个空穴占据受到有效抑制。一个关联自旋与电荷噪声的理论模型得以对全部相关时间尺度进行定量确定。
引用
@article{arxiv.1808.05574,
title = {Hole-capture competition between a single quantum dot and an ionized acceptor},
author = {Julia Wiegand and Dmitry S. Smirnov and Jakob Osberghaus and Lida Abaspour and Jens Hübner and Michael Oestreich},
journal= {arXiv preprint arXiv:1808.05574},
year = {2018}
}
备注
10 pages, 3 figures