基于 p-i-n 结构的高制造容差 InP 偏振分束器
光学
2022-07-22 v2 材料科学
其他凝聚态物理
应用物理
经典物理
摘要
在这项工作中，我们在 InP 平台上提出了一种新型的高制造容差偏振分束器 (PBS)。为实现分束，我们在一个对称的 1x2 马赫-曾德尔干涉仪 (MZI) 中结合了泡克尔斯效应和等离子体色散效应。MZI 的一个 p-i-n 移相器被正向偏置驱动，以利用等离子体色散效应并改变 TE 和 TM 模式的相位。MZI 的另一臂被反向偏置驱动，以利用仅影响 TE 模式的泡克尔斯效应。通过调节两个移相器的电压，可以为 TE 和 TM 模式设置不同的干涉条件，从而在 MZI 的输出端将它们分开。通过调节电压，放宽了全无源 PBS 所面临的非常严格的制造容差。实验结果表明，在整个 C 波段 (1530-1565nm) 上实现了优于 15 dB 的消光比和 3.5 dB 的片上损耗。
引用
@article{arxiv.2204.13026,
title = {Highly fabrication tolerant InP based polarization beam splitter based on p-i-n structure},
author = {Nicolás Abadía and Xiangyang Dai and Qiaoyin Lu and Wei-Hua Guo and David Patel and David V. Plant and John F. Donegan},
journal= {arXiv preprint arXiv:2204.13026},
year = {2022}
}
备注
8 pages, 7 figures, and 2 tables. Published version: see https://doi.org/10.1364/OE.25.010070. Related works: see https://doi.org/10.1364/OE.22.011236, https://doi.org/10.1364/oe.26.030292, and https://doi.org/10.1063/5.0044490. Keywords: Photonic Integrated Circuits; Integrated Optics Devices; Beam Splitters; Polarization-Selective Devices