磁场中的高阶拓扑绝缘体
介观与纳米尺度物理
2019-12-13 v3
摘要
二维(2D) Su-Schriffer-Heeger (SSH)模型的推广可作为探索高阶拓扑绝缘体(HOTI)的平台。我们研究了处于磁场中的该模型，其插值了迄今已研究的每个元胞零磁通与磁通的两个模型。我们展示在Hofstadter蝴蝶谱中，磁通附近出现一个宽能隙，它属于Benalcazar-Bernevig-Hughes (BBH)发现的同一HOTI。结果表明，在弱场 regime 下，HOTI甚至可存在于与磁通附近宽能隙不相连的小能隙中。为刻画HOTI，我们采用纠缠极化(eP)技术，该技术在基本四条能带于磁场下分裂为多个朗道能级时依然有用。
引用
@article{arxiv.1908.10976,
title = {Higher-order topological insulators in a magnetic field},
author = {Y. Otaki and T. Fukui},
journal= {arXiv preprint arXiv:1908.10976},
year = {2019}
}
备注
9 pages, 10 figures, final version