晶体缺陷的高阶远场边界条件

由于缺陷的存在，晶体材料表现出长程弹性场，导致原子模拟中显著的域尺寸效应。对这些长程场进行严格的远场展开，可以识别出以离散多极子项和连续校正项之和形式存在的低秩结构。我们提出了一种新颖的数值格式，利用这种低秩结构通过最小化域尺寸效应来加速材料缺陷模拟。我们的方法迭代地改进边界条件，系统性地遵循远场的渐近展开。我们既提供了该方法的严格误差估计，又进行了一系列经验数值测试，以评估其收敛性和鲁棒性。