用于电自旋注入的高质量Fe3-deltaO4/InAs异质结构
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
利用O2作为活性氧源，通过分子束外延在InAs (001)衬底上外延生长了单晶Fe3-deltaO4 (0<=delta<=0.33)薄膜。在最佳生长条件下，原位实时反射高能电子衍射图样以及非原位原子力显微镜表明(001) Fe3-deltaO4以台阶流生长模式生长，并具有特征表面重构。X射线光电子能谱证明可以获得从Fe3O4到γ-Fe2O3组成的铁氧化物。在300K下，超导量子干涉仪磁强计显示出良好的磁性能，从而为铁基氧化物在自旋电子学应用中的前景提供了可信度。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0610697,
title = {High quality Fe3-deltaO4/InAs hybrid structure for electrical spin injection},
author = {Marhoun Ferhat and Kanji Yoh},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0610697},
year = {2007}
}
备注
3 pages, 4 figures appeared in Virtual Journal of Nanoscale Science and Technology, Vol:15, issue12, March 26, 2007