TiN/MgO 缓冲层下 Fe3O4 单晶沉积
材料科学
2009-11-10 v4
摘要
在硅 (Si) 基片上沉积氧化物材料具有巨大的应用前景，这些材料具有 ferroelectricity、ferromagnetism 或 superfluidity 等多样物理特性。最近，具有高电荷载子自旋分极化程度的材料对半导体-氧化物混合器件在自旋电子学中变得有趣。我们在此报告了在经由 TiN 和氧化镁 (MgO) 双缓冲层沉积的硅 (001) 基片上，以纳米激光沉积法制备的磁性 Fe3O4 薄膜。通过 RHEED 强度振荡和高分辨率 X 射线衍射验证了其高品质单晶生长。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0301443,
title = {Epitaxy of Fe3O4 on Si(001) by pulsed laser deposition using a TiN/MgO buffer layer},
author = {D. Reisinger and M. Schonecke and T. Brenninger and M. Opel and A. Erb and L. Alff and R. Gross},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0301443},
year = {2009}
}
备注
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