动态原子重构：Fe3O4 薄膜如何规避外延中的极性灾变
材料科学
2016-09-14 v1 强关联电子
摘要
强关联电子氧化物材料界面的极性灾变引发了一系列新的研究活动。人们期望此类先进界面的设计将成为工程化具有新颖功能器件的强大途径。在此，我们研究了自旋电子学 Fe3O4/MgO (001) 界面的初始生长阶段和电子结构。利用软 X 射线吸收谱，我们发现所谓的 A 位点在第一层 Fe3O4 单层中完全缺失。这使得我们能够提出一个出人意料但优雅的生长原理：在沉积过程中，Fe 原子不断移动以解决发散的静电势问题，从而同时确保外延和化学计量。该生长原理为界面设计提供了新的视角。
引用
@article{arxiv.1609.03855,
title = {Dynamic atomic reconstruction: how Fe3O4 thin films evade polar catastrophe for epitaxy},
author = {C. F. Chang and Z. Hu and S. Klein and X. H. Liu and R. Sutarto and A. Tanaka and J. C. Cezar and N. B. Brookes and H. -J. Lin and H. H. Hsieh and C. T. Chen and A. D. Rata and L. H. Tjeng},
journal= {arXiv preprint arXiv:1609.03855},
year = {2016}
}
备注
30 pages