反应溅射制备的FeN薄膜的高频行为
材料科学
2016-09-21 v1
摘要
我们通过铁磁共振（FMR）研究了反应溅射制备的FeN薄膜的高频行为及其与静态磁性能的关系。在适当氮流速（NFR）下制备的FeN薄膜中，在2至18 GHz频率范围内观察到了FMR。在这些FeN薄膜中，观察到随着沉积过程中NFR增加，饱和磁化强度降低以及相应的FMR频率降低。FMR频率的外场依赖性很好地符合Kittel公式，且由拟合确定的Landé g因子被发现非常接近自由电子值。高场阻尼参数对NFR的生长条件几乎不敏感。然而，低场阻尼参数对NFR表现出高度敏感性，非常类似于硬轴矫顽力对NFR的依赖性，这表明诸如杂质和缺陷结构等外在材料属性可能在决定低场阻尼行为方面具有重要作用。
引用
@article{arxiv.1605.06179,
title = {High-frequency behavior of FeN thin films fabricated by reactive sputtering},
author = {Tae-Jong Hwang and Joonsik Lee and Ki Hyeon Kim and Dong Ho Kim},
journal= {arXiv preprint arXiv:1605.06179},
year = {2016}
}
备注
18 pages, 6 figures, ICAMD 2015 conference