肖特基二极管中的高频声波探测：理论探讨
介观与纳米尺度物理
2016-07-19 v1
摘要
本文介绍了利用肖特基二极管探测高频声信号的理论。在物理上，发现该探测源于载流子对声应变引起的电势扰动的准静态屏蔽。用于屏蔽所需的总电荷随着半导体耗尽区边缘和金属-半导体界面处应变值的变化而变化，从而产生位移电流。针对压电耦合机制和形变势耦合机制，我们分析了电信号的幅度和频率依赖性。所得结果与近期的实验观测吻合良好，并表明只要有合适的电学测量方案，高频（直至太赫兹波段）声波探测是可行的。
引用
@article{arxiv.1607.04922,
title = {High-frequency acoustic wave detection in Schottky diodes: theory consideration},
author = {B. A. Glavin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1607.04922},
year = {2016}
}