基于AlN-on-sapphire平台通过底侧耦合实现高效、低温compatible 光栅耦合器
光学
2024-12-25 v1 应用物理
摘要
石英作为宽带隙III族氮化物光子材料常用的基底，但其较高的折射率导致光栅耦合器的传输效率较低。本文提出并证明，通过底侧耦合可显著提高传输效率。将金属反射层沉积在芯片顶部，光纤阵列粘贴在基底底部。在 telecom 波长下，我们在铝氮化物（AlN）on石英平台上实现了单路耦合效率最高可达42%。此外，光栅耦合器在温度低至3~K时对横向电磁（TE）和横向磁（TM）模式表现出稳健的性能。我们的结果可用于需要低耦合损耗和低温运行的广泛石英基应用。
关键词
引用
@article{arxiv.2412.17941,
title = {High-efficiency, cryogenic-compatible grating couplers on an AlN-on-sapphire platform through bottom-side coupling},
author = {Yiyu Zhou and Mohan Shen and Chunzhen Li and Jiacheng Xie and Hong X. Tang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2412.17941},
year = {2024}
}