基于第一性原理计算研究SiC/SiO$_2$界面及SiC侧引入氮对电子态的影响
分布式、并行与集群计算
2023-03-22 v2
摘要
本研究采用第一性原理计算，考察在SiC表面数纳米内引入氮作为掺杂剂时，SiC/SiO界面处电子的行为。当在SiC(110)表面数纳米内引入高掺杂氮层（510 cm）时，若掺杂区小于4 nm，电子态不受显著影响；但若掺杂区超过4 nm，量子限制效应减弱，导致反型层中诱导的电子密度增大。就波函数而言，即便施加电场，其峰值也向电子远离界面的方向偏移。这降低了界面处电子散射的影响，改善了电子迁移率。
引用
@article{arxiv.2303.08526,
title = {HeRAFC: Heuristic Resource Allocation and Optimization in MultiFog-Cloud Environment},
author = {Chinmaya Kumar Dehury and Bharadwaj Veeravalli and Satish Narayana Srirama},
journal= {arXiv preprint arXiv:2303.08526},
year = {2023}
}
备注
Currently under review with Elsevier JPDC journal