层间偏压下扭曲双层石墨烯中的螺旋网络
介观与纳米尺度物理
2013-09-26 v3 材料科学
摘要
扭曲石墨烯双层在其局部堆叠中表现出三角形莫尔条纹图案，该图案在三种基本类型 AA'、AB' 和 BA' 之间平滑交替。在层间偏压 下，后两种类型会发展出谱隙，其特征为相反的谷陈数 (valley Chern numbers)。我们表明，对于足够大的莫尔周期和偏压，这些区域会在电子上耗尽，并在其边界处出现拓扑保护的螺旋模式。这产生了一个由谷电流涡旋组成的 Chalker-Coddington 型离域拓扑网络。该网络可以通过受控沉积混合谷吸附物进行定制，这些吸附物会阻断选定链路中的传输，从而为定制拓扑纳米电子学开辟了可能性。
引用
@article{arxiv.1304.5344,
title = {Helical networks in twisted bilayer graphene under interlayer bias},
author = {Pablo San-Jose and Elsa Prada},
journal= {arXiv preprint arXiv:1304.5344},
year = {2013}
}
备注
Published version, including new results on the manipulation of the helical network. 7 pages, 5 figures