异质应变双层石墨烯中的一维拓扑通道

AB 堆垛与 BA 堆垛的有隙双层石墨烯之间的畴壁因承载拓扑保护、谷极化的输运通道而备受关注。在双层之间引入扭转角及伴随形成的莫尔图案，一直是研究这些拓扑通道的主要方法，但异质应变同样可产生类似的堆垛畴与界面。本文从理论上研究了单轴异质应变双层石墨烯的电子结构。我们讨论了由于两层之间不同堆垛 registry 而在出现的一维莫尔图案中界面局域化通道的形成与演化。我们发现均匀异质应变不足以在偏置双层石墨烯中创造一维拓扑通道。相反，利用一个简单模型来考虑由变化的堆垛 registry 所驱动的面内原子重构，我们表明由此产生的扩展 Bernal 堆垛畴与更锐利的界面是鲁棒拓扑界面涌现所必需的。这些态高度局域于 AA 或 SP 堆垛界面区域，并依据界面堆垛的不同而表现出层与子晶格分布的差异。我们得出结论：异质应变可用作调控有隙双层石墨烯系统中拓扑通道存在与分布的机制，是对扭转电子学领域的补充。