GaAs/AlGaAs量子阱中由激子与双激子复合引起的发热
介观与纳米尺度物理
2015-07-29 v1 量子物理
摘要
本文给出了关于GaAs/AlGaAs量子阱中激子和双激子复合的一项综合实验研究。研究发现激子和双激子的复合时间分别为16 ps和55 ps。提出了一种确定激子温度动力学的方法。结果表明，激子和双激子复合过程均使激子温度升高多达 K。这些过程对激子玻色-爱因斯坦凝聚的可能性施加了新的限制，并使得即使在共振激发的激子气体中，在GaAs量子阱的直接激子系统内也无法实现该凝聚。
引用
@article{arxiv.1507.07671,
title = {Heating by exciton and biexciton recombination in GaAs/AlGaAs quantum wells},
author = {V. V. Belykh and M. V. Kochiev},
journal= {arXiv preprint arXiv:1507.07671},
year = {2015}
}
备注
10 pages, 6 figures, 1 table