基于氮化硅纳米膜的 MnBi_2Te_4 晶体霍尔效应及通孔接触研究
材料科学
2023-11-28 v2
摘要
利用能带拓扑与内禀磁性的相互作用，二维范德瓦耳斯（vdW）体系 MnBi_2Te_4 为实现奇异量子现象提供了理想平台，并在新兴的反铁磁自旋电子学技术领域带来巨大机遇。然而，MnBi_2Te_4 基纳米器件的制备受限于该材料的高敏感性，其在暴露于空气或高温时迅速降解。在此，我们展示了一种替代途径，利用嵌入无机氮化硅膜中的可印刷电路的低温干法转移来制备 vdW-MnBi_2Te_4 基电子器件。薄晶体与膜顶面之间的电学连接通过通孔接触建立。我们的磁输运研究表明，这一创新的通孔接触方法能够探索类 MnBi_2Te_4 敏感二维材料，并构建基于二维 vdW 体系的合成异质结构与复杂电路。
引用
@article{arxiv.2311.08953,
title = {Hall-effect in the MnBi_2Te_4 crystal using silicon nitride nanomembrane via contacts},
author = {Mickey Martini and Tommaso Confalone and Yejin Lee and Bastian Rubrecht and Giuseppe Serpico and Sanaz Shokri and Christian N. Saggau and Domenico Montemurro and Valerii M. Vinokur and Anna Isaeva and Kornelius Nielsch and Nicola Poccia},
journal= {arXiv preprint arXiv:2311.08953},
year = {2023}
}