范德瓦耳斯层间反铁磁体 $\mathrm{MnBi_2Te_4}$ 薄膜独特的厚度依赖性质
材料科学
2019-03-27 v1
摘要
利用密度泛函理论和蒙特卡洛计算，我们研究了二维极限下范德瓦耳斯层间反铁磁体的磁性与电子性质的厚度依赖性。以 作为模型材料，我们发现它展现出一组显著的厚度依赖磁性与拓扑转变。虽然单层七重层块 是拓扑平庸的铁磁体，但由奇数(偶数)个块构成的较厚薄膜是未补偿(补偿)的层间反铁磁体，其展现宽带隙量子反常霍尔(零平台量子反常霍尔)态。因此， 是首个被预测本征地实现零平台量子反常霍尔态的化学计量材料。该态在理论上已被证明承载奇异的轴子绝缘体相。
引用
@article{arxiv.1810.05289,
title = {Unique thickness-dependent properties of the van der Waals interlayer antiferromagnet $\mathrm{MnBi_2Te_4}$ films},
author = {Mikhail M. Otrokov and Igor P. Rusinov and María Blanco-Rey and Martin Hoffmann and Alexandra Yu. Vyazovskaya and Sergey V. Eremeev and Arthur Ernst and Pedro M. Echenique and Andrés Arnau and Evgueni V. Chulkov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1810.05289},
year = {2019}
}