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量子临界点上嵌套反铁磁体的霍尔效应

强关联电子 2009-11-07 v2

作者: M. R. Norman , Qimiao Si , Ya. B. Bazaliy , R. Ramazashvili

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摘要

我们研究了由费米面嵌套驱动的反铁磁性中霍尔系数的行为，发现霍尔系数应在磁性 onset 时发生突变，这与vanadium掺杂铬中最近观察到的现象一致。这种效应是由于磁性有序后费米面平坦部分的突然消失所致。就此而言，霍尔系数应等于剩余电阻率之平方除以掺杂浓度，这与可用数据相符。

关键词

霍尔效应反铁磁性费米面嵌套量子临界点剩余电阻率

引用

@article{arxiv.cond-mat/0211149,
  title  = {Hall Effect in Nested Antiferromagnets Near the Quantum Critical Point},
  author = {M. R. Norman and Qimiao Si and Ya. B. Bazaliy and R. Ramazashvili},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0211149},
  year   = {2009}
}

备注

published version; an accidental interchange in the quoting of $sigma_{xyz}$ analytic dependencies was corrected