强磁场下霍尔系数突变揭示的 URu₂Si₂ 中费米面拓扑与有序态的相互作用
强关联电子
2015-06-25 v2
摘要
对纯 URu₂Si₂ 和 4% Rh 掺杂 URu₂Si₂ 的霍尔效应进行的温度和磁场依赖性测量揭示,低密度(0.03 空穴/U)高迁移率载流子是“隐藏序”相所特有的,并且与巡游密度波序参量一致。随着磁场的增加,费米面经历一系列突变。结合现有的 de Haas-van Alphen 数据,霍尔数据揭示了“隐藏序”的稳定性、费米液体的极化程度和费米面拓扑之间的强相互作用。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0609501,
title = {Interplay between Fermi surface topology and ordering in URu$_{2}$Si$_2$ revealed through abrupt Hall coefficient changes in strong magnetic fields},
author = {Y. S. Oh and Kee Hoon Kim and P. A. Sharma and N. Harrison and H. Amitsuka and J. A. Mydosh},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0609501},
year = {2015}
}
备注
4 pages, 4 figures, Accepted to Phys. Rev. Lett