低载流子重费米子化合物URu2Si2中的高场费米面性质
强关联电子
2012-07-09 v1
摘要
我们对低载流子重费米子化合物URu2Si2在高达34T的高场和低至30mK的低温下进行了Shubnikov-de Haas (SdH)实验。在所有测量的场方向（H // [001] -> [100], [100] -> [110] 和 [001] -> [110]）上都观察到了名为alpha、beta和gamma的所有主要SdH分支，表明这些分支归因于近似球形的闭合费米面。在沿基平面的场中检测到alpha分支的异常分裂，并且当将场倾斜到[001]方向时，分裂立即消失，暗示了隐藏序态的特征。高场实验揭示了由于与隐藏序态中费米面重构相关的塞曼自旋分裂，SdH频率和回旋质量具有复杂的场依赖性，且载流子数很小。在高于23T的高场下，接近隐藏序不稳定性时，检测到一个名为omega的新SdH分支，其回旋质量很大，为25m0。
引用
@article{arxiv.1205.2869,
title = {High-Field Fermi Surface Properties in the Low Carrier Heavy Fermion Compound URu2Si2},
author = {Dai Aoki and Georg Knebel and Ilya Sheikin and Elena Hassinger and Liam Malone and Tatsuma D. Matsuda and Jacques Flouquet},
journal= {arXiv preprint arXiv:1205.2869},
year = {2012}
}
备注
6 pages, 7 figures, accepted for publication in J. Phys. Soc. Jpn