利用不同温度和溶剂的蒸发法生长 (CH$_3$)$_2$NH$_2$CuCl$_3$ 单晶
强关联电子
2013-11-13 v1 材料科学
摘要
低维磁体 (CH)NHCuCl（DMACuCl 或 MCCL）的块体单晶是通过缓慢蒸发法生长的，分别采用了不同种类的溶剂、不同浓度的过饱和溶液以及不同的溶液温度。在甲醇、酒精和水这三种溶剂中，发现酒精是生长 MCCL 晶体的最佳溶剂，这是因为其结构与原材料相似且具有合适的蒸发速率。最佳生长温度在 35 C 附近。通过重结晶过程解决了晶体在空气中潮解的问题。利用 X 射线衍射、比热和磁化率对晶体进行了表征。
引用
@article{arxiv.1311.2680,
title = {Growth of (CH$_3$)$_2$NH$_2$CuCl$_3$ single crystals using evaporation method with different temperatures and solvents},
author = {L. M. Chen and W. Tao and Z. Y. Zhao and Q. J. Li and W. P. Ke and X. M. Wang and X. G. Liu and C. Fan and X. F. Sun},
journal= {arXiv preprint arXiv:1311.2680},
year = {2013}
}
备注
15 pages, 5 figures, 3 tables, published in Journal of Crystal Growth