半Dir质材料异构结构中的Goos-Hänchen位移与光子旋量霍尔效应
光学
2025-07-15 v1
摘要
我们研究了半Dir质材料中的光子旋量霍尔效应(PSHE)和Goos-Hänchen位移(GH 位移)。通过理论建模，我们表明，半Dir质材料的各向异性介电函数在决定这些光学位移的大小和极性方面起关键作用。进一步地，利用半Dir质材料中无质量Dir电子的单向漂移，我们系统性地揭示了漂移速度和方向如何调制光学位移的行为。结果表明，半Dir质材料为控制旋量相关的光子现象提供了一种灵活的平台，其材料各向异性和载流子传输具有优势。这一工作为设计具有可调光学响应的先进光子器件开辟了新途径，特别在量子信息处理和拓扑光子学中具有显著的应用潜力。
引用
@article{arxiv.2504.11060,
title = {Goos-H\"anchen Shift and Photonic Spin Hall Effect in Semi-Dirac Material Heterostructures},
author = {Cheng Hong-Liang and Zhang Yong-Mei},
journal= {arXiv preprint arXiv:2504.11060},
year = {2025}
}
备注
10 pages, 13figures