多重分形诱导的非均匀超导体中的全局临界温度

越来越多的实验和数值模拟证据表明，充分无序超导体的一个关键特征是序参量的空间非均匀性。然而，关于其空间分布的细节或标志着长程序破缺的全局临界温度，解析上所知甚少。本文针对 Anderson 转变附近、以多重分形单体本征态为特征的无序系统研究这一问题。在弱多重分形极限和弱耦合超导体条件下，我们解析计算了超导序参量，包括其能量依赖性和空间统计分布。发现序参量的空间分布始终是对数正态的。通过逾渗方法计算并忽略相位涨落，全局临界温度仅在极弱耦合超导体中相对于纯净极限有所提高。即使存在通过提高逾渗阈值粗略模拟的中等相位涨落，这种提高仍然存在。我们的结果也与实验一致：在极弱耦合金属超导体铝薄膜中观察到临界温度的提高，但在耦合更强的材料中则未观察到。