用于量子声学的悬浮铌酸锂上吉赫兹频率 Lamb 波谐振腔

声子纳米器件为量子技术提供了一条有前景的途径，因为声子既具有物质内的强限制能力，又具备与各种量子系统的广泛耦合能力。特别是，铌酸锂等材料的压电响应使得超导量子比特与吉赫兹频率声子之间的耦合成为可能。然而，体铌酸锂声子器件通常依赖表面声波，因此固有地容易受到从表面向体衬底泄漏的影响。在此，我们探索了 200 纳米厚悬浮铌酸锂层中支持吉赫兹频率 Lamb 波的谐振腔的声学行为。我们在室温和毫开尔文温度下表征了其声学响应。我们发现，具有强限制的谐振腔在单声子水平下的本征品质因子约为 6000。我们使用测得的谐振器参数来模拟其与超导 Transmon 量子比特的耦合，从而评估其作为量子声学器件的潜力。