未补偿半金属Ta2PdSe6中的巨Peltier电导率
材料科学
2021-09-07 v1
摘要
通过输运测量和密度泛函计算研究了单晶Ta2PdSe6的热电性质。我们在10 K下发现了100 Acm-1K-1的巨Peltier电导率，并借助常规半导体理论成功予以解释。我们得出结论：未补偿半金属、高迁移率以及重有效质量是产生巨Peltier电导率的原因。我们的发现为热电领域开辟了新天地，以探索更优半金属用于如超导磁体电流发生器之类的新可能应用。
引用
@article{arxiv.2109.02190,
title = {Giant Peltier Conductivity in an Uncompensated Semimetal Ta2PdSe6},
author = {Akitoshi Nakano and Ai Yamakage and Urara Maruoka and Hiroki Taniguchi and Yukio Yasui and Ichiro Terasaki},
journal= {arXiv preprint arXiv:2109.02190},
year = {2021}
}
备注
25 pages, 10 figures