压力下 MnSi 的巨大普适拓扑霍尔电阻率
强关联电子
2014-04-16 v1 材料科学
摘要
我们报告了在高达 的压力下，MnSi 在低温下的详细磁输运和磁化测量。通过追踪样品质量、压力传压介质以及场和温度历史的作用，我们将巨大拓扑霍尔电阻率 的出现与环境压力下的斯格明子晶格相联系起来。我们表明，零温极限下拓扑霍尔电阻率的显著大尺寸必然是普适的。我们讨论了各种可能导致在环境压力下观察到的较高温度处信号小得多的机制。
引用
@article{arxiv.1404.3734,
title = {Giant generic topological Hall resistivity of MnSi under pressure},
author = {R. Ritz and M. Halder and C. Franz and A. Bauer and M. Wagner and R. Bamler and A. Rosch and C. Pfleiderer},
journal= {arXiv preprint arXiv:1404.3734},
year = {2014}
}