MnSi A 相中的拓扑霍尔效应
强关联电子
2015-05-13 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
近期的小角中子散射表明，MnSi A 相中的自旋结构是一种所谓的三重- 态，即三个呈 120 度角的螺旋的叠加。模型计算表明，该结构实际上是一个所谓的斯格明子晶格，即自旋结构中拓扑稳定纽结的晶格。我们报告了在提议的斯格明子晶格的温度和磁场范围内，霍尔效应中出现了一个明显的额外贡献，而在正常的螺旋态中既未观察到也未预期到这种贡献。我们的霍尔效应测量构成了对拓扑量子化 Berry 相位的直接观测，该相位将中子散射中观测到的自旋结构识别为提议的斯格明子晶格。
引用
@article{arxiv.0902.1933,
title = {Topological Hall effect in the A-phase of MnSi},
author = {A. Neubauer and C. Pfleiderer and B. Binz and A. Rosch and R. Ritz and P. G. Niklowitz and P. Böni},
journal= {arXiv preprint arXiv:0902.1933},
year = {2015}
}