非厄米系统中的几何响应与位错诱导趋肤效应
介观与纳米尺度物理
2021-08-11 v2 光学
量子物理
摘要
我们研究具有非平凡点隙拓扑的三维非厄米晶体系统的几何响应。对于具有四重旋转对称性的系统，我们表明在存在总Frank角为整数倍的位错线时，沿位错线方向可存在非平凡的一维点隙拓扑。这导致位错诱导的非厄米趋肤效应。通过将非厄米哈密顿量双重化为厄米三维手性拓扑绝缘体，我们表明位错诱导的趋肤模是有效表面Dirac费米子在位错诱导赝磁流存在下的零模。此外，我们发现结果具有场论描述，相应的几何响应作用（如欧氏Wen-Zee作用）丰富了非厄米系统的拓扑场论。
引用
@article{arxiv.2102.05667,
title = {Geometric Response and Disclination-Induced Skin Effects in Non-Hermitian Systems},
author = {Xiao-Qi Sun and Penghao Zhu and Taylor L. Hughes},
journal= {arXiv preprint arXiv:2102.05667},
year = {2021}
}
备注
10 pages including the Supplemental Material; close to the published version