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强电子关联驱动的无能隙金属电荷密度波相

强关联电子 2015-06-17 v1

摘要

我们分析了 Falicov-Kimball 模型中由热涨落诱导的从绝缘体到金属的转变。利用 Bethe 晶格上的动力学平均场理论 (DMFT) 形式体系,我们在高维极限下严格求得了半满填充时随温度变化的态密度 (DOSDOS)。在零温 (T=0T=0) 下,系统有序形成棋盘格图案,且 DOSDOS 在费米能级 εF=0\varepsilon_F=0 处存在能隙 Δ\Delta,该能隙正比于相互作用常数 UU。随着 TT 的增加,DOSDOS 以依赖于 UU 的多种方式演化。对于 U>UcrU>U_{cr},能隙对任意 TT 均存在(即 Δ>0\Delta >0),因此系统始终为绝缘体。然而,若 U<UcrU < U_{cr},能隙内会发展出两个额外的子带。它们随 TT 增加而变宽,并在某个依赖于 UU 的温度 TMIT_{MI} 处于 εF\varepsilon_F 处汇合。由于在 TMIT_{MI} 以上 εF\varepsilon_F 处的 DOSDOS 为正,我们将 TMIT_{MI} 解释为从绝缘体到金属的转变温度。结果表明,当 UU 接近 0 或 UcrU_{cr} 时,TMIT_{MI} 趋近于有序 - 无序相变温度 TODOT_{O-DO},但对于中间的 UU 值,TMIT_{MI} 显著低于 TODOT_{O-DO}。在计算出随温度变化的 DOSDOS 后,我们从自由能 FF 出发研究了系统的热力学性质。随后,我们发现了序参量 dd 和能隙 Δ\DeltaTT 的变化规律,并构建了以 TTUU 为变量的相图,其中展示了四种不同相的稳定区域:有序绝缘体、有序金属、无序绝缘体和无序金属。最后,我们利用低温展开证明了在一般二分晶格上,在特征 UU 值处存在非零 DOSDOS

关键词

引用

@article{arxiv.1310.4332,
  title  = {Gapless metallic charge-density-wave phase driven by strong electron correlations},
  author = {Romuald Lemański and Klaus Ziegler},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1310.4332},
  year   = {2015}
}

备注

19 pages, 9 figures; submitted to Physical Review B