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窄隙近藤绝缘体的各向异性能隙模型

强关联电子 2009-10-31 v2

摘要

我们提出了一种理论,用以解释近藤绝缘材料CeNiSnCeNiSnCeRhSbCeRhSb中具有节点的杂化能隙的动态产生。我们表明,作用于铈离子虚4f24f^2构型的洪德相互作用可以通过产生一个与离子形状耦合的魏斯场来动态选择铈离子的形状。在外部晶体场可忽略的低对称性晶体中,这一过程选择节点近藤半金属态作为最低能量构型。

关键词

引用

@article{arxiv.cond-mat/9807003,
  title  = {Gap-anisotropic model for the narrow-gap Kondo insulators},
  author = {Juana Moreno and P. Coleman},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9807003},
  year   = {2009}
}

备注

Substantially Revised Version