少层扭转电子学石墨烯的完全 Slonczewski-Weiss-McClure 参数化
介观与纳米尺度物理
2021-08-11 v1
摘要
我们使用混合 k·p 理论-紧束缚（HkpTB）模型来同时描述伯纳尔堆垛与扭转石墨烯结构中的层间耦合。对于伯纳尔对齐的界面，HkpTB 采用石墨的完全 Slonczewski-Weiss-McClure（SWMcC）哈密顿量进行参数化，随后通过推导反映石墨完全 SWMcC 模型所有细节的附加项，用以改进扭转界面常用的极小模型。我们发现这些项在扭转双层膜的能带结构中引入了一定的电子-空穴不对称性，但在扭转多层石墨烯中，它们仅对莫尔微带谱产生细微改变，证实了极小模型在此类系统中实现扭转界面耦合的广泛适用性。
引用
@article{arxiv.2105.00086,
title = {Full Slonczewski-Weiss-McClure parametrization of few-layer twistronic graphene},
author = {Aitor Garcia-Ruiz and Haiyao Deng and Vladimir V. Enaldiev and Vladimir I. Fal'ko},
journal= {arXiv preprint arXiv:2105.00086},
year = {2021}
}