$\alpha-LiIO_{3}$ 晶体二次谐波生成磁化率的全能带结构计算
光学
2007-05-23 v1
摘要
本工作进行了全能带结构计算，以研究 晶体二次谐波生成(SHG)磁化率的结构效应和跃迁机制。SHG 磁化率张量相关实验数据的反常不一致性被阐明是由结构效应主导的，特别是 原子的拓扑结构。在对结构效应的操控方面，模拟了使用外部压力对 SHG 磁化率的调制。SHG 磁化率张量的计算在有限频率和静态极限下完成，并与实验进行了比较。在跃迁机制的分析上，确定带间跃迁在静态极限下完全主导整个 SHG 磁化率；然而，在有限频率下，带内运动的效应被揭示为与带间跃迁的效应同等重要。
引用
@article{arxiv.0704.2495,
title = {Full bandstructure calculation of second harmonic generation susceptibility of $\alpha-LiIO_{3}$ crystal},
author = {Yung-mau Nie},
journal= {arXiv preprint arXiv:0704.2495},
year = {2007}
}
备注
22 pages, 4 figures