铬(III) 掺杂体在宽带隙材料中的多重结构
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2025-12-09 v1 神经与进化计算
最优化与控制
摘要
掺杂是常用于改变固态材料性质以满足科学和技术应用的常用方法。部分填满的 壳的过渡金属原子导致具有多样化空间和自旋对称性的电子态。铬(III) 阳离子在设计激光材料方面显示出巨大的潜力，最近更是用于开发自旋量子比特。它们也代表了一类具有强相关多参考激发态的化学系统，由于 电子配置。这些状态难以使用如密度泛函理论 (DFT) 等单参考量子化学方法准确描述，因为这是研究固态系统电子结构最常用的方法。最近，周期性有效哈密顿量的晶体场方法 (pEHCF) 已被证明能够克服一些在计算激发 态的局限性。本文评估了 DFT 和 pEHCF 用于计算铬(III) 掺杂体在宽带隙宿主材料中的电子结构和 - 激发的适合性。结果将有助于开发新型过渡金属掺杂材料，并提供对固体中复杂过渡金属掺杂体性质的更深入理解。
关键词
引用
@article{arxiv.2512.07397,
title = {From sparse recovery to plug-and-play priors, understanding trade-offs for stable recovery with generalized projected gradient descent},
author = {Ali Joundi and Yann Traonmilin and Jean-François Aujol},
journal= {arXiv preprint arXiv:2512.07397},
year = {2025}
}