层状 In$_4$Se$_3$ 晶体中电导率的频率依赖性
材料科学
2020-01-22 v1
摘要
研究了纯 InSe 及掺铜 InSe 晶体在氮温区电导率的频率依赖性。发现费米能级附近局域化能级上的变程跳跃是晶体中电荷输运的主导机制。对于纯 InSe 晶体，局域态密度为 eVcm，平均跳跃长度为 220--350 {\AA}。在将层状晶体视为准无序系统的模型框架内，考虑了局域态出现的原因。
引用
@article{arxiv.2001.06619,
title = {Frequency dependence of conductivity in the layered In$_4$Se$_3$ crystals},
author = {J. M. Stakhira and T. M. Demkiv and O. Ye. Fl'unt},
journal= {arXiv preprint arXiv:2001.06619},
year = {2020}
}
备注
3 pages, 2 figures