描述二维脉冲回收和半导体中运动的自由边界问题
材料科学
2009-11-10 v1
摘要
本文对二维 bulk n-GaAs 样品中 Gunn 效应的渐近分析进行了研究，样品具有圆形电接触。远离电接触处的移动脉冲可由分隔电势解 Laplace 方程（带附加边界条件）的区域之间的移动自由边界来近似表示。自由边界运动的动力学条件为 Hamilton-Jacobi 方程。我们在简单的一维和轴对称几何中求得了自由边界问题（FBP）的精确解。通过数值方法求解一般情况下的 FBP 解，并与完整方程组的数值解进行比较。结果表明，两者的吻合度非常良好，因而 FBP 可作为二维 Gunn 效应渐近研究的基础。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0301186,
title = {Free boundary problems describing two-dimensional pulse recycling and motion in semiconductors},
author = {L. L. Bonilla and R. Escobedo and F. J. Higuera},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0301186},
year = {2009}
}
备注
19 pages, 9 figures, Revtex. To appear in Phys. Rev. E