强无序半导体的分数爱因斯坦关系
无序系统与神经网络
2014-06-03 v1
摘要
提出了一种用于非晶半导体电导的新型爱因斯坦关系（分数爱因斯坦关系，FER）。将FER和广义爱因斯坦关系（GER）[Phys. Rev. E 8, 1296 (1998)]与蒙特卡罗（MC）模拟结果进行比较，确认FER比GER表现出更好的一致性。FER的关键特征在于它反映了粗粒化跳跃过程中细致平衡的破坏，而原始爱因斯坦关系或GER中则保留了细致平衡。
引用
@article{arxiv.1406.0226,
title = {Fractional Einstein relation for strongly disordered semiconductors},
author = {Takeshi Egami and Koshiro Suzuki and Katsuhiro Watanabe},
journal= {arXiv preprint arXiv:1406.0226},
year = {2014}
}
备注
5 pages, 3 figures