具有弱侵入性接触的相互作用量子线的四端电阻
介观与纳米尺度物理
2011-11-22 v3
摘要
我们分析了四端电阻相对于含杂质相互作用量子线的两端电阻的行为，同时考虑了电压探针的侵入性。我们采用一维自旋less费米子的Luttinger模型来描述该量子线。在非平衡格林函数技术的框架内，我们微扰地处理了与电压探针的耦合。我们的研究揭示了杂质、电子-电子相互作用以及探针侵入性对可能出现的负电阻的联合影响。
引用
@article{arxiv.1102.1371,
title = {Four-terminal resistance of an interacting quantum wire with weakly invasive contacts},
author = {Hugo Aita and Liliana Arrachea and Carlos Naón},
journal= {arXiv preprint arXiv:1102.1371},
year = {2011}
}
备注
10 pages, 7 figures