平板模型内半导体表面电荷与电场从头模拟的基础
材料科学
2016-11-09 v1
摘要
半导体表面被划分为电荷类别，即表面受主、施主和中性表面，这些类别适用于在平板模型内模拟其性质。获得了靠近带电表面态的电势分布，并考虑了点缺陷能量的显式依赖性。 formulate 并分析了一种终止电荷平板模型，证明了平板模拟存在两个控制参数：电势分布的斜率和曲率，它们可转化为表面电荷密度和体电荷密度。描述并展示了平板模型参数控制的程序，使用了 GaN 和 SiC 表面 DFT 模拟的示例，显示了取决于平板内能带电荷的线性或弯曲电势分布。研究还表明，表面电场可能在很大程度上影响某些表面性质，证明验证这种依赖性对于精确模拟半导体表面性质是必须的。
引用
@article{arxiv.1302.2211,
title = {Foundations of ab initio simulations of electric charges and fields at semiconductor surfaces within slab models},
author = {Stanisław Krukowski and Paweł Kempisty and Paweł Strąk},
journal= {arXiv preprint arXiv:1302.2211},
year = {2016}
}
备注
37 pages, 11 figures