Floquet量子热力学晶体管中的波动与最优控制

我们利用完全计数统计方法研究了三端口Floquet量子热力学晶体管中的波动与最优控制。我们将该设置建模为三个量子比特（称为发射器、收集器和基座）耦合到三个热浴。正如Phys. Rev. E 106, 024110 (2022)中所示，通过对基座电流的微小变化即可实现发射器和收集器电流的显著变化，从而实现热力学晶体管操作。通过对基座量子比特频率采用正弦和π翻转调制，我们发现基座电流的方差远小于发射器和收集器电流的方差，而在Fano因子方面则情况相反。随后，我们应用通过Chopped Random Basis优化协议实现的最优控制，以显著增强晶体管中获得的放大效应。相反，通过最优控制降低该设置的Fano因子与较大的基座电流相关，这表明精度与基座电流之间存在权衡。我们预期这些结果将对于开发近期量子技术中的热力学调制器具有重要意义。