简并硅的挠曲电子掺杂及相关电子行为
材料科学
2022-06-13 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
在金属/简并掺杂硅双层结构中，由应变梯度引起的界面挠曲电效应导致载流子从金属层转移到硅层。这一过剩载流子浓度称为挠曲电子掺杂或挠曲电子电荷转移，它产生电极化的（比铁电材料大一个数量级）硅层。在输运测量中，由于挠曲电子掺杂，硅中载流子浓度增加两个数量级，改变了费米能级和霍尔响应。挠曲电子电荷积累改变了电子-电子和电子-声子耦合，分别引起Mott金属-绝缘体转变和声子磁性。挠曲电极化与磁性的共存产生了一类称为电子多铁的新材料。通过控制挠曲电子掺杂，可在半导体材料中为量子、自旋电子和电子应用潜在地设计材料行为。
引用
@article{arxiv.2110.04938,
title = {Flexoelectronic doping of the degenerate silicon and the correlated electron behavior},
author = {Paul C. Lou and Anand Katailiha and Ravindra G. Bhardwaj and Ward Beyermann and Dheeraj Mohata and Sandeep Kumar},
journal= {arXiv preprint arXiv:2110.04938},
year = {2022}
}