冻结离子挠曲电效应的第一性原理理论
材料科学
2011-11-08 v1
摘要
我们证明，即使对于铁电或压电材料，挠曲电系数的冻结离子贡献也仅由原子位移引起的电荷密度畸变的第三阶矩之和给出。我们引入了几种实用的基于超胞的方法来从头计算这些系数，并通过计算 C、Si、MgO、NaCl、SrTiO、BaTiO 和 PbTiO 的系数对这些方法进行了演示。还讨论了与赝势、表面处理以及横向分量计算相关的三个重要细节。
引用
@article{arxiv.1108.4997,
title = {First-principles theory of frozen-ion flexoelectricity},
author = {Jiawang Hong and David Vanderbilt},
journal= {arXiv preprint arXiv:1108.4997},
year = {2011}
}
备注
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