Cu/Co 多层膜的第一性原理非共线输运计算与界面自旋翻转

本文对包含界面自旋翻转的 Cu/Co(111) 进行了第一性原理非共线输运计算。我们假设具有随机磁化取向的非共线磁结构（该结构沿平均磁化方向满足高斯分布）来模拟界面处的自旋翻转。我们获得了包含界面自旋翻转的自旋相关电导与随机磁化取向分布宽度之间的关系。对于特定的分布宽度，我们定义的自旋翻转比率与实验自旋翻转概率 $P=1-e^{-\delta}$ 的范围一致，其中 $\delta=0.25\pm0.1$。我们还计算了包含界面自旋翻转的 Co/Cu/Co 自旋阀系统中的磁阻。