金属界面的自旋损失理论

界面自旋翻转散射在磁电子器件中起着重要作用。金属界面的自旋损失通常通过将对多层膜的磁电阻数据拟合到 Valet-Fert 模型来量化，同时将每个界面视为厚度为自旋扩散长度的 $\delta$ 倍的虚构体层。通过采用适当推广的电路理论和散射矩阵方法，我们推导了参数 $\delta$ 与单个界面处自旋翻转透射和反射概率的关系。研究发现 $\delta$ 与自旋翻转散射概率的平方根成正比。我们利用基于第一性原理电子结构的 Landauer-Büttiker 方法计算了平坦和粗糙 Cu/Pd 界面的自旋翻转透射概率，发现 $\delta$ 与实验合理吻合。