广义磁电子电路理论及磁性多层膜界面处的自旋弛豫

金属界面的自旋输运是多种自旋电子器件概念（如巨磁电阻、自旋转移矩和自旋泵浦）的基本要素。自旋轨道耦合在许多此类器件中起重要作用。特别地，由于自旋轨道耦合，自旋电流在界面处被部分吸收。我们发展了一般的磁电子电路理论，并推广了自旋混合电导的概念，考虑了导致自旋翻转散射的各种机制。对于交换相互作用占主导的特殊情形，我们给出了自旋混合电导的简洁表达式，以负责自旋弛豫（即自旋记忆损失）、自旋矩和自旋进动的贡献表示。自旋记忆损失参数 $\delta$ 与自旋翻转透射和反射概率相关。自旋矩与自旋记忆损失之间不存在直接关系。我们利用线性 muffin-tin 轨道方法内的 Landauer-Büttiker 方法计算了 N|N、F|N、F|F 界面的自旋翻转散射率，并使用电路理论确定了 $\delta$ 的值。