Fe掺杂CuO化合物的SIC修正第一性原理计算
材料科学
2018-07-18 v1
摘要
本工作中,采用标准密度泛函理论研究了Fe掺杂CuO薄膜的电子性质。该方法基于Korringa Kohn Rostoker相干势近似下的第一性原理计算。我们在广义梯度近似和自相互作用修正的框架内开展研究。给出并讨论了能图中的态密度。所研究化合物的计算电子性质证实了该材料的半金属性本质。此外,在Perdew Burke Ernzerhof近似提出的广义梯度近似内考察了所研究化合物的吸收谱。与纯CuO相比,发现掺杂结构的费米能级向更高能量方向移动。为完成本研究,Fe掺杂CuO的方法使材料转变为半金属性。我们在两种近似方法情形下均发现了高的宽杂质带。
引用
@article{arxiv.1807.06319,
title = {First principle calculations with SIC correction of Fe-doped CuO compound},
author = {Fatima Zahra Chafi and Elmehdi Salmani and Lahoucine Bahmad and Najem Hassanain and Fares Boubker and Ahmed Mzerd},
journal= {arXiv preprint arXiv:1807.06319},
year = {2018}
}